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BF861B,215 PDF下载
- 大小：74K
- 厂家：NXP Semiconductors
- 描述： JET, N CH, 25V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:6mA to 15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-1.5V; Power Dissipation Pd:250mW; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Idss Max:15mA; Current Idss Min:6mA; Package / Case:SOT-23; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel
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